v0.27.0 안내 · 작업 흐름
MOS 최적화 실험 · Grid/Random/TPE
실제 PCell·DRC·LVS·DC를 통과한 후보만 비교합니다.
학습 체크는 이 브라우저에만 저장합니다. 엔진의 PASS·실행·제조 판정과 관계없습니다.
시작 전에
- 원본 SKY130 단일 MOS PCell·mn1·nf=m=1
- Magic·Netgen·ngspice와 실제 모델
따라 하기
MOSFET 프로젝트를 열고 실험 패널에서 W/L 변수와 grid 범위를 정합니다.
Grid·seeded random·seeded TPE, trial budget 1–16과 시간 한도를 선택합니다. objective·면적/전류 제약을 지정합니다.
실행하면 후보별 별도 프로젝트에서 PCell → DRC → LVS → ngspice DC가 수행됩니다.
실제 gate 결과·metric·score를 확인합니다. 실패/제약 위반 후보의 점수는 null입니다.
순위를 읽고 후보 프로젝트를 별도로 엽니다. 원본 revision과 다르면 원본을 그대로 보존하며 비교합니다. 취소/중단 기록도 확인합니다.
확인할 결과와 한계
- area_um2는 실제 bbox footprint입니다. power_W는 Vds×최대 표본 Id이며 전체 동적 시스템 전력이 아닙니다.
- 검색한 유한 후보의 최선 값은 전역 최적이나 제조 승인을 뜻하지 않습니다.
막혔을 때
- 임의 수정 layout·다른 cell·nf/m은 지원 범위 오류를 확인합니다.
- 취소·timeout·worker 중단은 feasible 점수로 바꾸지 않습니다.