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ResistorPrecision Workbench

v0.27.0 안내 · 설계 블록 실습

SAR · 8비트 SAR · 전체 계층

8 comparisons 후 CODE/VALID를 확인합니다. LSB=1.2/256=4.6875mV이며 ENOB 미측정입니다. sweep_codes=1은 static center test이지 INL/DNL 인증이 아닙니다.

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학습 체크는 이 브라우저에만 저장합니다. 엔진의 PASS·실행·제조 판정과 관계없습니다.

시작 전에

따라 하기

  1. 설계 도구 → 통합 설계 → 회로 · 연결 탐색에서 카탈로그를 읽고 SAR ADC 8개 블록의 SAR · 8비트 SAR · 전체 계층 (sar_adc8)를 선택합니다. 새 프로젝트를 생성하거나 아래 예제 ZIP을 가져옵니다.

  2. 회로도에서 root ports와 하위 셀을 엽니다. 아래 기본값·외부 testbench 조건과 실제 연결을 확인합니다.

  3. ANALOG/CONTROL 계층과 VREF 1.2V·VCM VDD/2·BIAS 0.9V를 봅니다.

  4. 지원 해석을 선택하고 Simulate를 실행합니다. 결과의 축·단위·실제 run·revision을 읽습니다.

  5. 8 comparisons 후 CODE/VALID를 확인합니다. LSB=1.2/256=4.6875mV이며 ENOB 미측정입니다. sweep_codes=1은 static center test이지 INL/DNL 인증이 아닙니다.

  6. 한 파라미터만 바꿔 새 해석과 비교합니다. 편집 프로젝트·조건·파형·로그를 같은 revision으로 저장합니다.

포트·기본값·필요한 블록

회로 ID: sar_adc8 · 지원 해석: tran

포트연결 기준
VIN원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
VREF원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
VCM원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
BIAS원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CLK원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
RESET원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
START원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
TOP원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
COMP원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
SAMPLE원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
BUSY원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
VALID원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE0원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE1원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE2원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE3원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE4원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE5원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE6원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
CODE7원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
VPWR원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
VGND원본 subckt/graph의 핀 순서·역할 확인
기본 파라미터 (단위는 이름에 포함)카탈로그 값
input_V0.6
reference_V1.2
acquisition_s0.000002
bit_period_s0.000002
sweep_codes0

직접 의존 셀

실제 회로의 모든 하위 셀

셀 이름포트직접 소자 수내부 block 참조
SAR8_ANALOGVIN, VREF, VCM, BIAS, SAMPLE, TOP, COMP, B0, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, VPWR, VGND2SAR8_CDAC, SAR8_COMPARATOR
SAR8_CDACVIN, VREF, VCM, SAMPLE, TOP, B0, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, VPWR, VGND267INV, SAR8_TG, SAR8_BOTTOM, SAR8_UNIT
INVA, Y, VPWR, VGND2
SAR8_TGA, Y, EN, ENB, VPWR, VGND2
SAR8_BOTTOMVIN, VREF, BIT, SAMPLE, SAMPLEB, OUT, VPWR, VGND5INV, SAR8_TG
SAR8_UNITTOP, BOTTOM1
SAR8_COMPARATORINP, INN, BIAS, OUT, VPWR, VGND5PREAMP, INV
PREAMPINP, INN, BIAS, OUT, VPWR, VGND5
SAR8_CONTROLLERCLK, RESET, START, COMPARATOR, SAMPLE, BUSY, VALID, TRIAL0, TRIAL1, TRIAL2, TRIAL3, TRIAL4, TRIAL5, TRIAL6, TRIAL7, CODE0, CODE1, CODE2, CODE3, CODE4, CODE5, CODE6, CODE7, VPWR, VGND164INV, AND2, OR2, DFF
AND2A, B, Y, VPWR, VGND2NAND2, INV
NAND2A0, A1, Y, VPWR, VGND4
OR2A, B, Y, VPWR, VGND2NOR2, INV
NOR2A, B, Y, VPWR, VGND4
DFFD, CLK, Q, VPWR, VGND13INV

실제 실행 기록 · source와 조건별로

이 표는 사용자의 엔진 상태를 대신하지 않습니다. default·변경 실험·예전 물리 세대를 함께 보존하며 fail/unknown을 pass로 바꾸지 않습니다. 새 실습의 최신 결과는 앱에서 확인하세요.

sar_adc8/default · source 9eb7adb9a008 · 실제 과거 실행

원본 기록 JSON · 프로젝트 e5867cf4fdd34df094982b0d15a006c6

실행 파라미터

이름값
input_V0.6
reference_V1.2
acquisition_s0.000002
bit_period_s0.000002
sweep_codes0
단계실행 상태기준 판정run ID
precompletedpassac37ce556b784e0e86cf445088a8c0d4

pre · 원본 결과 설명

Actual charge-retaining SAR comparator decisions and RTL/gate replay completed.

결과 revision: 1 · 사용자 현재 프로젝트의 결과가 아닙니다.

측정 이름·단위 원문값
analysistran
x_units
x_labeltime
output_bits8
frames11
max_code_error0
ambiguous_decisions0
rtl_gate_replay_matchtrue
lsb_V0.0046875
conversion_s0.000018
effective_resolutionnot measured
원본 기준판정관측
RTL / synthesized gates / CMOS schematic reproduce every native comparator decision and trialpassnull
Comparator logic levels unambiguous at decision edgespassnull
Directed input codes within one LSBpassnull

확인할 결과와 한계

막혔을 때

원문과 재현 자료

지원 범위·자세한 절차 · 검증 당시 template 카탈로그 · 전체 하위 셀·연결 원본 JSON · 해당 generation 실제 실행 기록 · SAR 전체 계층·물리 예제

다음 실습

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